## 本周半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)事資訊 ##
① 臺(tái)積電鎖定12英寸碳化硅新戰(zhàn)場(chǎng)，布局AI時(shí)代散熱關(guān)鍵材料
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入人工智能（AI）與高效能運(yùn)算（HPC）驅(qū)動(dòng)的新時(shí)代，散熱管理正逐漸成為影響芯片設(shè)計(jì)與制程能否突破的核心瓶頸。當(dāng)3D堆疊、2.5D整合等先進(jìn)封裝架構(gòu)持續(xù)推升芯片密度與功耗，傳統(tǒng)陶瓷基板已難以滿足熱通量需求。晶圓代工龍頭臺(tái)積電正以一項(xiàng)大膽的材料轉(zhuǎn)向回應(yīng)這一挑戰(zhàn)，那就是全面擁抱12英寸碳化硅（SiC）單晶基板，并逐步退出氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)。
② 消息稱三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達(dá)認(rèn)證
韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露，三星第五代12 層高頻寬存儲(chǔ)器HBM3E 產(chǎn)品終于通過Nvidia 品質(zhì)認(rèn)證測(cè)試，預(yù)計(jì)不久后開始供應(yīng)高階存儲(chǔ)器芯片，并有望打入下一代HBM4 競(jìng)爭(zhēng)鏈。
③ 立中集團(tuán)：硅鋁合金和鋁碳化硅新材料已成功量產(chǎn)
立中集團(tuán)于9月19日在互動(dòng)平臺(tái)向投資者透露，公司研發(fā)的硅鋁合金和鋁碳化硅新材料已成功量產(chǎn)，并應(yīng)用于半導(dǎo)體設(shè)備的關(guān)鍵零部件制造，如基座、支撐架和靜電卡盤。硅鋁合金主要適用于超高精度及高速運(yùn)動(dòng)的零件制造，鋁碳化硅則因其優(yōu)異的剛度和耐磨性，應(yīng)用于高強(qiáng)度零件。
④ 地平線計(jì)劃于2026年發(fā)布新一代艙駕一體芯片
據(jù)IT之家9月19日?qǐng)?bào)道，國(guó)產(chǎn)智能駕駛方案商地平線（Horizon Robotics）計(jì)劃于2026年發(fā)布一款新一代艙駕一體芯片，并爭(zhēng)取于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。知情人士透露，這款芯片可能是地平線歷史上設(shè)計(jì)最復(fù)雜的一款，副總裁兼首席架構(gòu)師蘇箐及其高階智能駕駛算法團(tuán)隊(duì)參與了該芯片的算力定義與規(guī)劃。
⑤ 5億美元，英偉達(dá)投向英國(guó)自動(dòng)駕駛初創(chuàng)公司W(wǎng)ayve
英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，將戰(zhàn)略投資5億美元于英國(guó)自動(dòng)駕駛初創(chuàng)公司W(wǎng)ayve，標(biāo)志著兩國(guó)在人工智能領(lǐng)域合作的重大深化。
⑥ 聯(lián)發(fā)科推出天璣9500旗艦芯片，目標(biāo)市占率達(dá)40%
聯(lián)發(fā)科于2025年9月22日正式推出其最新的5G旗艦芯片——天璣9500，該芯片以「超強(qiáng)悍、超冷勁」為主要賣點(diǎn)，旨在進(jìn)一步擴(kuò)大其在高階手機(jī)市場(chǎng)的影響力。
⑦ 雙技術(shù)破局！SiC光波導(dǎo)降本增效迎來新拐點(diǎn)
目前，8英寸SiC光學(xué)基板占光波導(dǎo)總成本高達(dá)86%，導(dǎo)致SiC方案成本約為玻璃的6倍左右；更大尺寸的12英寸襯底因價(jià)格更高，應(yīng)用難度更大。當(dāng)前，SiC光波導(dǎo)成本高企的背后，涉及晶體生長(zhǎng)良率不足、大尺寸晶體制備難度大、加工損耗率高等多重挑戰(zhàn)。
⑧ 羅姆：第5代SiC MOS今年投產(chǎn)，將采用8吋產(chǎn)線
9月19日，據(jù)日本媒體日經(jīng)Crosstech報(bào)道，羅姆半導(dǎo)體董事總經(jīng)理兼功率器件業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人伊野 和英表示，他們計(jì)劃在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)最新的第五代SiC MOSFET的商業(yè)化，且從第五代開始，將采用8英寸SiC襯底進(jìn)行生產(chǎn)。
⑨ 寧波奧拉半導(dǎo)體宣布與安森美達(dá)成多相電源技術(shù)交易
9月23日，寧波奧拉半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“奧拉半導(dǎo)體”）宣布，已與安森美（onsemi, Nasdaq: ON）簽署一項(xiàng)多相電源（Vcore）技術(shù)授權(quán)協(xié)議，包括多相電源技術(shù)和相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）許可。
⑩ 三菱電機(jī)：8英寸SiC工廠預(yù)計(jì)本月竣工
9月19日，三菱電機(jī)半導(dǎo)體執(zhí)行官、集團(tuán)總裁Masayoshi Takemi在接受日經(jīng)Crosstech采訪時(shí)透露，他們位于日本熊本縣的8英寸SiC生產(chǎn)基地正在加快建設(shè)，其生產(chǎn)大樓預(yù)計(jì)將于2025年9月竣工，將于同年11月采用8英寸SiC襯底開始試生產(chǎn)，并計(jì)劃于2027年開始量產(chǎn)。
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① https://www.dramx.com/News/cailiao-shebei/20250919-39130.html
② https://www.dramx.com/News/Memory/20250922-39132.html
③ https://www.dramx.com/News/cailiao-shebei/20250922-39134.html
④ https://www.dramx.com/News/automotive-electronics/20250922-39136.html
⑤ https://www.dramx.com/News/AI/20250922-39133.html
⑥ https://www.dramx.com/News/IC/20250923-39139.html
⑦ https://mp.weixin.qq.com/s/3h-fvFfuO3WDMELGVRjtlg
⑧ https://mp.weixin.qq.com/s/bmCo9UjYZ6-B7El_j_W8dg
⑨ https://www.dramx.com/News/igbt/20250924-39147.html
⑩ https://mp.weixin.qq.com/s/7Mhr3OO1VYlIDVYnwiuvzg
09f912c8bf26a586f7ad11fea5c630bf.pdf
